nand閃存壽命 nand閃存價(jià)格

　　NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

　　nand閃存壽命

　　閃存的壽命主要取決于所使用的Flash芯片。我們以常用的三星系列的Flash芯片為例，這種芯片具有10萬次擦寫壽命和10年的保存時(shí)間，照此計(jì)算，即使每天擦寫100次，也至少可以正常使用3年。你的閃存用了不到一年便出現(xiàn)了壞道，說明該產(chǎn)品很可能是采用了壽命較短的次品芯片。這類芯片質(zhì)量參差不齊，質(zhì)量差的可能只有幾百次的擦寫壽命。目前市場(chǎng)上閃存價(jià)格較低，建議更換一個(gè)知名大廠出品的閃存。

　　nand閃存價(jià)格

　　1. NAND256W3A2BN6 256Mbit 32M*8 NAND Flash，參考價(jià)：9元

　　2.NAND512W3A2CN6 512Mbit 64M8 NAND Flash，參考價(jià)：12元

　　3. K9F2808UOB-YCBO K9F2808UOB-YIBO，參考價(jià)：10元

　　nand閃存技術(shù)

　　1、ONFI接口標(biāo)準(zhǔn)

　　ONFI(Open NAND Flash Interface)標(biāo)準(zhǔn)是由英特爾，鎂光，海力士，臺(tái)灣群聯(lián)電子，SanDisk， 索尼，飛索半導(dǎo)體為首宣布統(tǒng)一制定的連接NAND閃存和控制芯片的接口標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)初制定ONFI標(biāo)準(zhǔn)的主要目的是統(tǒng)一當(dāng)時(shí)混亂的閃存標(biāo)準(zhǔn)。

　　2、三星與東芝的ToggleDDR陣營

　　2010年6月三星與東芝開始投產(chǎn)符合Toggle DDR 1.0接口標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存，Toggle DDR NAND采用雙向DQS信號(hào)控制讀寫操作，信號(hào)的上升與下降沿都可以進(jìn)行資料的傳輸，能使傳輸速度翻倍，接口帶寬為133MB/s，而且沒有內(nèi)置同步時(shí)鐘發(fā)生器(即NAND還是異步設(shè)計(jì))，因此其功耗會(huì)比同步NAND更低。

　　3、閃存的同步與異步

　　我們經(jīng)常說閃存的同步與異步模式，其實(shí)是在ONFI 2.0標(biāo)準(zhǔn)中新加入的特性(ToggleDDR不存在同步閃存的情況，均為異步設(shè)計(jì)，但性能仍然強(qiáng)悍)，ONFI 2.0標(biāo)準(zhǔn)在NAND中加入了同步時(shí)鐘發(fā)生器，主控可以通過發(fā)送同步指令激活閃存上的同步時(shí)鐘信號(hào)，使閃存工作在同步模式 ，此時(shí)閃存的數(shù)據(jù)傳輸速率會(huì)大幅度提升，異步模式相當(dāng)于ONFI 1.0，閃存的帶寬為50MB/s，而同步模式下閃存至少也符合ONFI 2.0，閃存帶寬可達(dá)到133MB/s以上。